STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ STDRIVE101 MOSFET 600 mA 3 SOIC 3 28-Pin 78 V 表面
- RS品番:
- 210-8289
- メーカー型番:
- STDRIVE101
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,267.00
(税抜)
￥1,393.70
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年11月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | ￥253.40 | ￥1,267 |
| 25 - 220 | ￥242.80 | ￥1,214 |
| 225 - 295 | ￥232.00 | ￥1,160 |
| 300 - 345 | ￥221.40 | ￥1,107 |
| 350 + | ￥210.60 | ￥1,053 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 210-8289
- メーカー型番:
- STDRIVE101
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ | |
| 出力電流 | 600mA | |
| ピン数 | 28 | |
| 降下時間 | 120ns | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 120ns | |
| 最小電源電圧 | -0.3V | |
| ドライバ数 | 3 | |
| 最大電源電圧 | 78V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 高さ | 1mm | |
| 長さ | 4.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ | ||
出力電流 600mA | ||
ピン数 28 | ||
降下時間 120ns | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 120ns | ||
最小電源電圧 -0.3V | ||
ドライバ数 3 | ||
最大電源電圧 78V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
高さ 1mm | ||
長さ 4.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
STDRIVE101は、3相ブラシレスモータの駆動に適した低電圧ゲートドライバです。
NチャンネルパワーMOSFET用の3つのハーフブリッジゲートドライバを備えたシングルチップです。各ドライバの電流容量は600 mA (シンク / ソース)です。低ドロップリニアレギュレータを内蔵し、ブートストラップ回路を介してローサイド及びハイサイドゲートドライバの両方の供給電圧を生成します。
このデバイスは、ローサイドとハイサイドの両方に低電圧ロックアウト(UVLO)を実現し、低効率又は危険な条件での電源スイッチの動作を防止します。
STDRIVE101に統合された制御ロジックにより、2つの入力戦略(ハイサイド及びローサイド又はイネーブル及びPWM駆動信号)が可能になります。駆動方法は、DT / MODEピンに応じて選択されます。どちらのケースでも、インターロック又は内部で生成されたデッドタイムにより、クロス伝導の防止が保証されます。
STDRIVE101は、各外部MOSFETに対するVDS監視保護機能、サーマルシャットダウン機能を備え、スタンバイモードに設定して消費電力を削減できます。
このデバイスは、VFQFPN 4 x 4 24リードパッケージオプションを用意しています。
• 動作電圧: 5.5 → 75 V
• シンク / ソース電流容量: 600 mA
• 3.3 V及び5 V制御ロジック
• 2つの入力戦略:
oENx/INx、調整可能なデッドタイム生成
oINHx/INLx、インターロック付き
• 全チャンネルの伝搬遅延を整合
• 非常に短い伝播遅延: 40 ns
• 一体型ブートストラップダイオード
• 12 V LDOリニアレギュレータ(最大50 mA)
• 各外部MOSFET用の組み込みVDSモニタ
• 過電流コンパレータ
•
過熱保護• スタンバイモードで低消費電流動作
関連ページ
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ STDRIVE101TR MOSFET 1 ECOPACK 24-Pin 78 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MOSFET 1 ECOPACK 24-Pin 78 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MOSFET 600 mA 3 SOIC 3 28-Pin 78 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ ゲートドライバ QFN 31-Pin 15 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MASTERGAN2 ゲートドライバ QFN 31-Pin 15 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MOSFET 1 ECOPACK 31-Pin 11 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MASTERGAN1TR MOSFET 1 ECOPACK 31-Pin 11 V 表面
- STMicroelectronics ゲートドライバゲートアイゲートヒンジ MASTERGAN2TR MOSFET 1 ECOPACK 31-Pin 11 V 表面