Infineon MOSFETゲートドライバ 60 A PQFN

Infineonの統合型パワーステージは、には、最先端の低電圧MOSFET技術と最新のドライバ設計が組み合わされています。ドライバ技術、FET技術、パッケージ技術の統合は、InfineonとInternational Rectifierの強力な結びつきを実証するものです。デュアルエッジトリムデッドタイムにより、ピーク効率が大幅に向上します。温度補償機能付きMOSFET RDS(on)電流検出（専用ケルビンGND接続経由）を内蔵し、インダクタDCR検出方式よりも優れた電流検出精度を実現します。

5 x 6 x 0.9 mm³の小型オーバーモールドPQFNパッケージ、0.45 mmピッチ
高精度な電流レポート
プログラム可能な定電流制限OCSET
高速スイッチング技術により、高周波での性能向上とピーク効率
の改善入力電圧範囲： 4.25 → 16 V
出力電圧範囲： 0.25 → 5.5 V
出力電流容量： 60 A
最大動作周波数： 1.5
MHz5 V駆動に最適化

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