Infineon MOSFET MOSFET 8 A 1 DSO 2 16-Pin 3.5 V 表面
- RS品番:
- 222-4758
- メーカー型番:
- 1EDF5673FXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥211.168 | ¥527,920 |
| 5000 - 22500 | ¥206.949 | ¥517,373 |
| 25000 - 35000 | ¥202.804 | ¥507,010 |
| 37500 - 47500 | ¥198.751 | ¥496,878 |
| 50000 + | ¥194.774 | ¥486,935 |
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- RS品番:
- 222-4758
- メーカー型番:
- 1EDF5673FXUMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 8A | |
| ピン数 | 16 | |
| パッケージ型式 | DSO | |
| 降下時間 | 4.5ns | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 出力数 | 2 | |
| 上昇時間 | 6.5ns | |
| 最小電源電圧 | 4V | |
| ドライバ数 | 1 | |
| 最大電源電圧 | 3.5V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| シリーズ | 1EDF5673F | |
| 長さ | 10.3mm | |
| 幅 | 7.5 mm | |
| 高さ | 2.35mm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 8A | ||
ピン数 16 | ||
パッケージ型式 DSO | ||
降下時間 4.5ns | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
出力数 2 | ||
上昇時間 6.5ns | ||
最小電源電圧 4V | ||
ドライバ数 1 | ||
最大電源電圧 3.5V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
規格 / 承認 No | ||
シリーズ 1EDF5673F | ||
長さ 10.3mm | ||
幅 7.5 mm | ||
高さ 2.35mm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon シングルチャンネルガルバニック絶縁ゲートドライバ IC 1EDF5673F は、 CoolGaN™ などの非絶縁ゲート(ダイオード入力特性)と低しきい値電圧を備えた拡張モード( eモード)の窒化ガリウム( GaN ) HEMT に最適です。この製品により、堅牢で高効率な高電圧 GaN スイッチの動作を保証すると同時に、研究開発の労力を最小限に抑え、市場投入までの時間を短縮することができます。
低抵抗出力
シングルチャンネルガルバニック絶縁
ガルバニック絶縁内蔵
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