Infineon MOSFET 1EDN8511BXUSA1 MOSFET 8 A 1 SOT-23 2 6-Pin 20 V 表面

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梱包形態
RS品番:
222-4767
メーカー型番:
1EDN8511BXUSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

8A

ピン数

6

降下時間

4.5ns

パッケージ型式

SOT-23

ドライバタイプ

MOSFET

出力数

2

上昇時間

6.5ns

最小電源電圧

4.2V

最大電源電圧

20V

ドライバ数

1

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.45mm

シリーズ

1EDN8511B

長さ

2.9mm

幅

1.6 mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Infineon 1 チャンネル MOSFET ゲートドライバ IC は、制御 IC と強力な MOSFET / GaN スイッチングデバイスの間の重要なリンクです。このゲートドライバ IC は、高いシステムレベル効率、優れた電力密度、一貫したシステム堅牢性を実現します。

制御とイネーブル入力の -10 Vの堅牢性により、パルストランス駆動時に重要な安全マージンを確保

5 A の逆出力電流の堅牢性により、TO-220 / TO-247 パッケージの MOSFET を駆動する際にショットキースイッチングダイオードが不要

真のレールツーレール低インピーダンス出力段により、ドライバ IC の冷却が可能

4 V / 8 V UVLO （低電圧ロックアウト）オプションにより、起動時や異常状態時に MOSFET を瞬時に保護可能

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