Infineon 高速電力MOSFET ＆ IGBTドライバ MOSFET 290 mA 2 DSO 2 8-Pin 25 V 表面

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RS品番:
226-6021
メーカー型番:
2ED2109S06FXUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

高速電力MOSFET ＆ IGBTドライバ

出力電流

290mA

ピン数

8

パッケージ型式

DSO

降下時間

80ns

ドライバタイプ

MOSFET

出力数

2

上昇時間

150ns

最小電源電圧

20V

最大電源電圧

25V

ドライバ数

2

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

長さ

4.9mm

規格 / 承認

JEDEC47/20/22

シリーズ

2ED2109 (4) S06F (J)

幅

3.9 mm

高さ

1.72mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Infineon 2ED2109S06F は、高電圧、高速パワー MOSFET で、 IGBT ドライバです。独立したハイ / ローサイドのリファレンス出力チャンネルを備えています。SOI 技術に基づくこの製品は、優れた耐久性とノイズ耐性を備え、過渡電圧で最大 -11 V on VS ピンの負の電圧で動作ロジックを維持できます。出力ドライバは、ドライバのクロスコンダクションを最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル

動作電圧（ VS ノード）は最大 +650 V

最大ブートストラップ電圧（ VB ノード）は +675 V です

超高速、低抵抗のブートストラップダイオードを内蔵しています

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