Infineon ゲートドライバモジュール 290 mA DSO-8

Infineon 650 Vハーフブリッジ高速パワーMOSFET及びIGBTゲートドライバは、標準的なソース電流が0.29、シンク電流が0.7でDSO-8パッケージに収められています。Infineon SOIテクノロジーに基づいており、VSピンの負過渡電圧に対する優れた堅牢性とノイズ耐性を備えています。このデバイスに寄生サイリスタ構造は存在しないため、あらゆる温度 / 電圧条件で寄生ラッチが発生しません。

超高速、低抵抗ブートストラップダイオードを内蔵し、BOMコストを削減
ブートストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル
両チャンネルの独立した低電圧ロックアウト
デュアル機能のDT / SD入力により、両方のチャンネルをオフにします。