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Infineon MOSFET IRS21271STRPBF MOSFET 290 mA SOIC 5 8-Pin 20 V 表面

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Infineon IRS21271 は、高電圧、高速パワー MOSFET と IGBT独自の HVIC とラッチ耐性 CMOS 技術により、耐久性の高いモノリシック構造が実現されています。ロジック入力は、 3.3 V までの標準 CMOS 又は LSTTL 出力に対応しています

ブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル

+600 Vまで完全動作

負の過渡電圧に対する耐性、 -dV/dt 耐性

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