onsemi IGBTモジュール IGBT 6.5 A SOIC 5 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 230-9047
- メーカー型番:
- NCD57090EDWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 230-9047
- メーカー型番:
- NCD57090EDWR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 出力電流 | 6.5A | |
| ピン数 | 8 | |
| 降下時間 | 13ns | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ドライバタイプ | IGBT | |
| 出力数 | 5 | |
| 上昇時間 | 13ns | |
| 最小電源電圧 | 20V | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| シリーズ | NCD57090 | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
出力電流 6.5A | ||
ピン数 8 | ||
降下時間 13ns | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ドライバタイプ IGBT | ||
出力数 5 | ||
上昇時間 13ns | ||
最小電源電圧 20V | ||
最大電源電圧 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 125°C | ||
シリーズ NCD57090 | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.75mm | ||
長さ 5mm | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
ON Semiconductor シリーズの NCD57090E は、 5 kVrms 内部ガルバニック絶縁を備えた高電流シングルチャンネル IGBT ゲートドライバです。高電力用途で高いシステム効率と信頼性を実現するように設計されています。このデバイスは相補入力を受け入れ、ピン構成に応じて、アクティブ Miller Clamp （ NCD57090E ）などのオプションを提供します。NCD57090E は、幅広い入力バイアス電圧と信号レベル（ 3.3 → 20 V ）に対応します
システム効率を向上
正確なマッチングで短い伝搬遅延を実現します
PWM 信号の整合性が向上しています
高過渡及び電磁耐性
高速スルーレートの高電圧及び高電流スイッチング用途での耐久性を備えています
5 kVrms オンチップガルバニック絶縁
オプトドライバに比べて性能が向上し、コストと基板スペースを節約します
バイアス電圧範囲が広く、入力電圧範囲も広い
柔軟なシステム設計が可能で、一般的に使用可能なシステム電圧レールを使用できます
アクティブ Miller クランプ又は負のゲート電圧又は分割出力
コンパクトなパッケージで適切な機能を選択できます
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