Infineon MOSFET, 2 A / 3 ns, 11 V ～ 11V, 11ピン PG-VSON-10

RS品番:: 240-8518
メーカー型番:: 1EDN7116GXTMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, 2 A / 3 ns, 11 V ～ 11V, 11ピン PG-VSON-10

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125 - 1195	￥125.80	￥629
1200 - 1595	￥108.40	￥542
1600 - 3195	￥90.40	￥452
3200 +	￥72.80	￥364

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RS品番:: 240-8518
メーカー型番:: 1EDN7116GXTMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	出力電流	2A
	ピン数	11
	降下時間	3ns
	パッケージ型式	PG-VSON-10
	ドライバタイプ	MOSFET
	最小電源電圧	11V
	最大電源電圧	11V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	125°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	出力電流 2A
	ピン数 11
	降下時間 3ns
	パッケージ型式 PG-VSON-10
	ドライバタイプ MOSFET
	最小電源電圧 11V
	最大電源電圧 11V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 125°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Infineon EiceDRIVERTM 1EDN7116Gは、 CoolGaN™ HEMT、その他のGaN SG HEMTやSi MOSFETの駆動に最適化された、シングルチャネルのゲートドライバーICです。TDI機能により、同相電圧が150V(スタティック)および200V(ダイナミック)以下であれば、ゲートドライバの出力状態は、ドライバの基準(グランド)電位に関係なく、2つの入力の電圧差によってのみ制御されます。これにより、ローサイドアプリケーションにおけるグランドバウンスによる誤作動のリスクを排除するとともに、1EDN7116Gはハイサイドアプリケーションにも対応することができます。

ローサイド、ハイサイド動作時の誤動作を防止

ハイサイド動作用の高いコモンモード入力電圧範囲を実現

高速スイッチング過渡時に安定した動作を実現

3.3Vまたは5V入力ロジックに対応

誘導ターンオンを回避する5Aシンク能力を備えたアクティブミラークランプ

負のターンオフ電源電圧用に調整可能なチャージポンプ

GaN HEMTまたはSi MOSFETの駆動に最適

対象アプリケーション向けにJEDEC認定

Infineon MOSFET, 2 A / 3 ns, 11 V ～ 11V, 11ピン PG-VSON-10

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