Infineon MOSFET & IGBT ドライバー IR2102STRPBF MOSFET 360 mA SOIC 8-Pin 600 V

RS品番:: 244-9742
メーカー型番:: IR2102STRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET & IGBT ドライバー IR2102STRPBF MOSFET 360 mA SOIC 8-Pin 600 V

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RS品番:: 244-9742
メーカー型番:: IR2102STRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET & IGBT ドライバー
	出力電流	360mA
	ピン数	8
	降下時間	90ns
	パッケージ型式	SOIC
	ドライバタイプ	MOSFET
	上昇時間	100ns
	最小電源電圧	20V
	最大電源電圧	600V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	シリーズ	IR2101(S)/IR2102(S)
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET & IGBT ドライバー
	出力電流 360mA
	ピン数 8
	降下時間 90ns
	パッケージ型式 SOIC
	ドライバタイプ MOSFET
	上昇時間 100ns
	最小電源電圧 20V
	最大電源電圧 600V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	シリーズ IR2101(S)/IR2102(S)
	自動車規格なし

インフィニオンのゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイス用に設計されています。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、故障、シャットダウン、過電流保護などのゲートドライブ保護機能を備えています。このため、ドライバICは、CoolGaNやCoolSiCなど、シリコンとワイドバンドギャップのパワーデバイスの両方に適しています。このため、インフィニオンは、あらゆる電源スイッチや用途に適した500種類以上のEiceDRIVERゲートドライバICソリューションを提供しています。

ブートストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル

600Vまで完全動作

負の過渡電圧への耐性

dV/dt耐性

ゲート駆動電源範囲10～20V

低電圧ロックアウト

3.3 V、5 V、15 Vのロジック入力に対応

両チャネルの伝搬遅延を一致

入力による位相(IR2101)又は入力による

位相外(IR2102)の出力

鉛未使用も利用可能

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