Infineon ゲートドライバモジュール, 270 mA, 100 ns / 50 ns, 10 V ～ 25V, 8ピン SOIC

Infineonハーフブリッジドライバは、高電圧、高速パワーMOSFET及びIGBTドライバで、ハイサイドリファレンス及びローサイドリファレンス出力チャンネルを備えています。独自のHVIC及びラッチ免疫CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOS又はLSTTL出力と互換性があり、最大3.3 Vのロジックです。この出力ドライバは、ドライバのクロス伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。このフローティングチャンネルは、最大600 Vで動作するハイサイド構成のNチャンネルパワーMOSFET又はIGBTを駆動するために使用できます。

ブートストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル