Infineon ゲートドライバモジュール, 2出力, 1.8 A, 40 ns / 20 ns, 10 V ～ 20V, 14ピン SOIC

インフィニオンのハーフブリッジゲートドライバは、高電圧、高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバで、ハイサイドリファレンスおよびローサイドリファレンス出力チャンネルを備えています。独自のHVIC技術、ラッチ耐性CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOSまたはLSTTL出力と互換性があり、最大3.3Vのロジックです。この出力ドライバは、ドライバのクロス伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。このフローティングチャンネルは、最大600ボルトで動作するハイサイド構成のNチャンネルパワーMOSFETまたはIGBTを駆動するために使用できます。

ゲートドライブ電源範囲: 1～20V