Infineon ゲートドライバIC, 600 mA, 170 ns / 30 ns, 10 V ～ 20V, 8ピン SOIC

このゲートドライバICは、低電圧電源環境内のパワーMOSFETや同様のスイッチングデバイス向けのゲートドライブを提供します。10V～20Vの電源で動作し、コンパクトな8ピンSOICパッケージと拡張周囲温度機能を必要とする産業用途向けに設計されています。

• 0.60Aの出力電流により、信頼性の高いMOSFETゲートスイッチング性能を実現
• 最小10Vの電源により、一般的に利用できるレールからの動作が可能
• 20 Vの最大電源により、より広範な用途向けに高いゲートドライブ電圧に耐えることができます。
• 170nsの立ち上がり時間により、制御されたターンオンをサポートし、オーバーシュートを低減
• 30nsの落下時間により、高速ターンオフを実現し、効率的なスイッチングを実現

• 産業用コンバータのパワーMOSFETと併用
• 低電圧モーター駆動ゲートステージに最適
• 電源モジュールのスイッチングステージに最適
• DC-DC変換のゲート制御に使用可能

このデバイスは、標準的なスルーホールランドパターンとコンパクトな表面実装レイアウトに適合する8ピンSOICで提供されます。

-40°C～125°Cの範囲で動作し、過酷な熱環境に対応します。

指定された170nsの立ち上がり時間と30nsの立ち下がり時間は、ゲート充電のタイミングとスイッチング損失に影響を与え、スナバーとゲート抵抗器の選択を示します。

自動車グレードのコンポーネントとして指定されていないため、車両用途向けに適切に評価する必要があります。