Infineon ゲートドライバモジュール, 2出力, 1.8 A, 40 ns / 35 ns, 10 V ～ 20V SOIC

インフィニオンの高電圧・高速パワーMOSFETおよびIGBT用ドライバは、独立したハイサイドおよびローサイドのリファレンス出力チャンネルを備えています。独自のHVIC技術、ラッチ耐性CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOS又はLSTTL出力と互換性があり、最大3.3 Vのロジックです。この出力ドライバは、ドライバのクロス伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。このフローティングチャンネルは、最大600 Vで動作するハイサイド構成のNチャンネルパワーMOSFET又はIGBTを駆動するために使用できます。

ゲートドライブ電源範囲: 10 V～20 V