Transcend SSD M.2 内側 256 MB 256ビットAES暗号化
- RS品番:
- 683-083
- メーカー型番:
- TS256GMTE712A-VS1
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
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- RS品番:
- 683-083
- メーカー型番:
- TS256GMTE712A-VS1
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | トランセンド | |
| メモリサイズ | 256MB | |
| サブタイプ | SSD | |
| プロダクトタイプ | SSD | |
| 内部/外部 | 内側 | |
| 産業グレード | はい | |
| フォームファクタ | M.2 | |
| NANDタイプ | 3D | |
| インタフェースタイプ | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| 暗号化レベル | 256ビットAES暗号化 | |
| 動作温度 Max | 75°C | |
| 動作温度 Min | -20°C | |
| 長さ | 80mm | |
| 規格 / 承認 | UKCA | |
| 幅 | 22mm | |
| 高さ | 3.58mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド トランセンド | ||
メモリサイズ 256MB | ||
サブタイプ SSD | ||
プロダクトタイプ SSD | ||
内部/外部 内側 | ||
産業グレード はい | ||
フォームファクタ M.2 | ||
NANDタイプ 3D | ||
インタフェースタイプ NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
暗号化レベル 256ビットAES暗号化 | ||
動作温度 Max 75°C | ||
動作温度 Min -20°C | ||
長さ 80mm | ||
規格 / 承認 UKCA | ||
幅 22mm | ||
高さ 3.58mm | ||
- COO(原産国):
- TW
Transcend SSD、256 MBキャッシサイズ、M.2フォームファクタ - TS256GMTE712A-VS1
このSSDは、産業環境での高スループループデータタスク用に設計された内蔵フラッシュストレージデバイスです。NVMe PCIe Gen4 x4インターフェイスを介して接続し、幅広い温度範囲で動作しながら、コントローラ、データロガー、組み込みコンピューティングプラットフォームの読み取り / 書き込みアクセスを高速化します。
特長:
• PCIe Gen4 x4インターフェイスにより、より高速なデータ転送速度を実現
• 256ビットAES暗号化により、保存されたデータを安全に保護
• 3D NANDアーキテクチャにより、耐久性と密度を向上
• 長期間の現場動作を可能にする産業グレードの設計
• 高温環境で最大75°Cまで動作可能
• 低プロファイルの高さ3.58 mmでスリムなシステム構築をサポート
• 256ビットAES暗号化により、保存されたデータを安全に保護
• 3D NANDアーキテクチャにより、耐久性と密度を向上
• 長期間の現場動作を可能にする産業グレードの設計
• 高温環境で最大75°Cまで動作可能
• 低プロファイルの高さ3.58 mmでスリムなシステム構築をサポート
用途
• 安全な保管を必要とする産業オートメーションコントローラーに最適
• 過酷な熱条件下での組み込み電子機器に使用
• テストリグや機械のデータ収集ユニットに最適
• 配電システムのエッジコンピュータと併用可能
• 機械システムコントローラーのファームウェアストレージに使用
• 過酷な熱条件下での組み込み電子機器に使用
• テストリグや機械のデータ収集ユニットに最適
• 配電システムのエッジコンピュータと併用可能
• 機械システムコントローラーのファームウェアストレージに使用
基板レベルの統合には、どのようなフォームファクタを使用しますか?
標準的なM.2スロットに適した22 mm幅のM.2フォームファクタを採用しています。
内部操作に使用できるオンボードの揮発性メモリはどのくらいですか?
このデバイスには、コントローラ機能とバッファリングを支援するための256 MBの内部メモリが搭載されています。
動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
動作条件下で-20°Cから最大75°Cまで動作するように設定されています。
この製品は、英国の規制フレームワークでの使用に適合していますか?
適用可能な英国の要件に適合することを示すUKCA認証を取得しています。
データストレージセルには、どのようなフラッシュメモリタイプが実装されていますか?
このドライブは、不揮発性ストレージアレイに3D NAND技術を使用しています。
