Transcend SSD M.2 内側 512 GB 256ビットAES暗号化
- RS品番:
- 683-177
- メーカー型番:
- TS512GMTE712P-VS1
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
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- RS品番:
- 683-177
- メーカー型番:
- TS512GMTE712P-VS1
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | トランセンド | |
| サブタイプ | SSD | |
| メモリサイズ | 512GB | |
| プロダクトタイプ | SSD | |
| 内部/外部 | 内側 | |
| 産業グレード | はい | |
| フォームファクタ | M.2 | |
| NANDタイプ | 3D | |
| 暗号化レベル | 256ビットAES暗号化 | |
| インタフェースタイプ | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 長さ | 80mm | |
| 高さ | 3.88mm | |
| 幅 | 22mm | |
| 規格 / 承認 | UKCA | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド トランセンド | ||
サブタイプ SSD | ||
メモリサイズ 512GB | ||
プロダクトタイプ SSD | ||
内部/外部 内側 | ||
産業グレード はい | ||
フォームファクタ M.2 | ||
NANDタイプ 3D | ||
暗号化レベル 256ビットAES暗号化 | ||
インタフェースタイプ NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
動作温度 Max 85°C | ||
動作温度 Min -40°C | ||
長さ 80mm | ||
高さ 3.88mm | ||
幅 22mm | ||
規格 / 承認 UKCA | ||
- COO(原産国):
- TW
Transcend SSD、メモリサイズ512 GB、NVMe PCIe Gen 4 x4インターフェイスタイプ - TS512GMTE712P-VS1
このSSDは、産業用および組み込み環境向けの高性能ソリッドステートストレージを提供し、幅広い温度範囲で信頼性の高い動作を実現するように設計されています。NVMe PCIe Gen4 x4インターフェイスを介して接続し、オートメーションおよび電子システム向けの高速データアクセスを実現し、UKCA規制要件を満たすことができます。
特長:
• NVMe PCIe Gen4 x4インターフェイスで高スループットデータ転送を実現
• 512 GBの容量により、大容量のオンボードストレージを実現
• 256ビットAES暗号化により、安全なデータ保護を実現
• 3D NANDテクノロジーにより、ストレージ密度と耐久性を向上
• 産業用グレード設計により、-40°C~85°Cで動作可能
• M.2フォームファクタは、長さ80 mm、高さ3.88 mmと互換性があります。
• 512 GBの容量により、大容量のオンボードストレージを実現
• 256ビットAES暗号化により、安全なデータ保護を実現
• 3D NANDテクノロジーにより、ストレージ密度と耐久性を向上
• 産業用グレード設計により、-40°C~85°Cで動作可能
• M.2フォームファクタは、長さ80 mm、高さ3.88 mmと互換性があります。
用途
• オートメーションシステムの産業用制御ユニットに最適
• 電気機器および機械機器の組み込みコンピューティングに最適
• Compact NVMeストレージを必要とするサーバープラットフォームと併用
• 過酷な温度環境でのデータ記録に使用可能
• 電気機器および機械機器の組み込みコンピューティングに最適
• Compact NVMeストレージを必要とするサーバープラットフォームと併用
• 過酷な温度環境でのデータ記録に使用可能
システム統合には、どのような物理インターフェイスを使用していますか?
M.2モジュールのPCIe Gen4 x4 NVMe接続を使用して、マザーボードの直接挿入と低遅延アクセスを実現します。
コンパクトな設計に適合する構造はどのようになっていますか?
このモジュールは、長さ80 mm、高さ3.88 mmのM.2プロファイルを採用し、狭い内部ベイに適合します。
動作中にどのような極端な温度に耐えられますか?
-40°C~85°Cの間で連続動作するように設定されており、高温用途に対応します。
どのようなタイプのフラッシュメモリが実装されており、なぜ重要なのですか?
3D NANDを採用し、ストレージ密度を向上させ、書き込みが重い作業の耐久性を向上させます。
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