Transcend SSD MTE370T M.2 (2230) 内側 256 GB AES
- RS品番:
- 262-9711
- メーカー型番:
- TS256GMTE370T
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
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- 262-9711
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- TS256GMTE370T
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | トランセンド | |
| モデル番号 | MTE370T | |
| プロダクトタイプ | SSD | |
| サブタイプ | SSD | |
| メモリサイズ | 256GB | |
| 内部/外部 | 内側 | |
| 産業グレード | はい | |
| フォームファクタ | M.2 (2230) | |
| NANDタイプ | 3D NAND | |
| 暗号化レベル | AES | |
| インタフェースタイプ | PCIe Gen 3.0 x4 NVMe | |
| 動作温度 Max | 75°C | |
| 動作温度 Min | -20°C | |
| 幅 | 22mm | |
| 規格 / 承認 | PCI Express specification 3.1, RoHS 2.0, NVM Express specification 1.3 | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 長さ | 30mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド トランセンド | ||
モデル番号 MTE370T | ||
プロダクトタイプ SSD | ||
サブタイプ SSD | ||
メモリサイズ 256GB | ||
内部/外部 内側 | ||
産業グレード はい | ||
フォームファクタ M.2 (2230) | ||
NANDタイプ 3D NAND | ||
暗号化レベル AES | ||
インタフェースタイプ PCIe Gen 3.0 x4 NVMe | ||
動作温度 Max 75°C | ||
動作温度 Min -20°C | ||
幅 22mm | ||
規格 / 承認 PCI Express specification 3.1, RoHS 2.0, NVM Express specification 1.3 | ||
高さ 2.38mm | ||
長さ 30mm | ||
RoHSステータス: 対象外
Transcend SSD、容量256 GB、M.2 (2230)フォームファクタ - TS256GMTE370T
このSSDは、組み込みシステムおよび産業用システム向けに設計されたコンパクトな内部ストレージデバイスで、PCIe Gen3 x4 NVMeインターフェイスを介して不揮発性フラッシュストレージを提供します。低プロファイルフォームファクタと堅牢な動作温度範囲を必要とする環境向けに設計されており、ハードウェア暗号化により安全なデータ処理を実現し、3D NANDメモリを利用してソリッドステートの信頼性を確保します。
特長:
• PCIe Gen3 x4 NVMeインターフェイスで高スループットデータ転送を実現
• デバイス内でデータを保護するためのAESハードウェア暗号化
• 256 GBの容量により、ファームウェアおよび使用ストレージのニーズをサポート
• NVM Express 1.3に準拠し、効率的なコマンド処理を実現
• 長時間の使用を可能にする産業グレードの構造
• デバイス内でデータを保護するためのAESハードウェア暗号化
• 256 GBの容量により、ファームウェアおよび使用ストレージのニーズをサポート
• NVM Express 1.3に準拠し、効率的なコマンド処理を実現
• 長時間の使用を可能にする産業グレードの構造
用途
• オートメーション機器の組み込みコントローラーに最適
• 基板スペースが限られているコンパクト電子機器に最適
• 制御キャビネット内の産業用コンピューティングモジュールと併用
• 過酷な温度環境でのデータ記録に使用可能
• 基板スペースが限られているコンパクト電子機器に最適
• 制御キャビネット内の産業用コンピューティングモジュールと併用
• 過酷な温度環境でのデータ記録に使用可能
どのような物理的プロファイルにより、スペースに制約のある設計に適していますか?
このモジュールはM.2 2230フットプリントに適合し、全体的な高さが低いため、コンパクトなボードや狭いエンクロージャ内での取り付けが可能です。
温度耐性は、デプロイオプションにどのように影響しますか?
広い温度範囲で動作するため、高い周囲条件に対応する熱にさらされるアセンブリや機器に配置することができます。
耐久性と密度を支えるNAND技術は?
このデバイスは3D NANDフラッシュを使用し、持続的な産業用途に適したストレージ密度と摩耗特性のバランスを提供します。
