onsemi DIP39 IGBT, Nチャンネル 650 V, 30 A, 39-Pin
- RS品番:
- 277-038
- メーカー型番:
- NFAM3065L4BL
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 277-038
- メーカー型番:
- NFAM3065L4BL
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 30 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大パワー消費 | 113 W | |
| トランジスタ数 | 6 | |
| パッケージタイプ | DIP39 | |
| 回路構成 | 3相 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 39 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 30 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大パワー消費 113 W | ||
トランジスタ数 6 | ||
パッケージタイプ DIP39 | ||
回路構成 3相 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 39 | ||
- COO(原産国):
- VN
オン・セミコンダクターの統合インバータ・パワー・モジュールは、ハイサイド・ゲート・ドライバ、LVIC、6個のIGBT、および温度センサ(VTS)を備えており、PMSM、BLDC、およびAC非同期モータの駆動に最適です。IGBTは3相ブリッジに配置され、下側の足には別々のエミッター接続があるため、制御アルゴリズムの選択に最大限の柔軟性を持たせることができる。
アクティブ・ロジック・インターフェース
低電圧保護内蔵
ブートストラップ用ダイオードと抵抗を内蔵
各相の電流を個別に検知するため、ローサイドIGBTのエミッタ接続を分離
低電圧保護内蔵
ブートストラップ用ダイオードと抵抗を内蔵
各相の電流を個別に検知するため、ローサイドIGBTのエミッタ接続を分離
