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    IGBT

    IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、パワー半導体の一種で、入力部をMOSFET、出力部がバイポーラ構造のトランジスタです。最も一般的な2つのトランジスタ (バイポーラトランジスタとMOSFET)を併せたようなもので、2つのトランジスタの長所を併せ持っています。IGBTは、電力を切り替える用途で幅広く使用されています。


    IGBTの動作


    IGBTは、半導体に電圧を印加する3端子デバイスです。特性を変化させることにより、オフ状態時に電力潮流をブロックし、オン状態時に電力潮流を許可します。これは金属酸化物の半導体ゲート構造によって制御されます。


    IGBTトランジスタの種類


    IGBTにはさまざまなタイプがあり、最大電圧、コレクタ電流、パッケージングタイプ、スイッチング速度などのパラメータによって分類されています。どのIGBTトランジスタを選択するかは、電力レベルや検討対象の用途によって異なります。

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