Infineon TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 20 A, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 165-5613
- メーカー型番:
- IGB10N60TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | ￥74.151 | ￥74,151 |
| 5000 - 9000 | ￥72.673 | ￥72,673 |
| 10000 - 24000 | ￥70.444 | ￥70,444 |
| 25000 - 49000 | ￥68.228 | ￥68,228 |
| 50000 + | ￥66.00 | ￥66,000 |
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- RS品番:
- 165-5613
- メーカー型番:
- IGB10N60TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 20A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 600V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.05V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| シリーズ | TrenchStop | |
| 規格 / 承認 | JEDEC | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 20A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 600V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.05V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
シリーズ TrenchStop | ||
規格 / 承認 JEDEC | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン TrenchStop IGBTトランジスタ、600Vおよび650V
インフィニオンのIGBTトランジスタシリーズは、TrenchStopTM技術を採用した600Vおよび650Vのコレクタエミッタ定格電圧を備えています。このシリーズは、高速、高速回復の逆平行ダイオードを内蔵したデバイスを備えています。
• コレクタエミッタ電圧範囲：600 → 650V
• 超低VCEsat
• 低ターンオフ損失
• ショートテール電流
• 低 EMI
• 最高ジャンクション温度：175°C
IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン
絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。