インフィニオン D2PAK (TO-263) IGBT, Nチャンネル 600 V, 10 A, 3-Pin
- RS品番:
- 165-5613
- メーカー型番:
- IGB10N60TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | ￥95.351 | ￥95,351 |
| 5000 - 9000 | ￥93.45 | ￥93,450 |
| 10000 - 24000 | ￥90.584 | ￥90,584 |
| 25000 - 49000 | ￥87.735 | ￥87,735 |
| 50000 + | ￥84.87 | ￥84,870 |
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- RS品番:
- 165-5613
- メーカー型番:
- IGB10N60TATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 10 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 600 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 110 W | |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 10.31 x 9.45 x 4.57mm | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 10 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 600 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 110 W | ||
パッケージタイプ D2PAK (TO-263) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 10.31 x 9.45 x 4.57mm | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- CN
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 / 650 V
InfineonのIGBTトランジスタは、600 / 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop™技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。
• コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 → 650 V
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C
• VCEsatが非常に低い
• ターンオフ損失が低い
• ショートテール電流
• 低EMI
• 最大ジャンクション温度: 175 °C
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。