Infineon TO-247 IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 40 A, 3-Pin スルーホール

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計:*

¥21,609.00

(税抜)

¥23,769.90

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30 - 120¥720.30¥21,609
150 - 270¥706.00¥21,180
300 - 720¥668.40¥20,052
750 - 1470¥649.533¥19,486
1500 +¥630.733¥18,922

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RS品番:
165-8178
メーカー型番:
IKW40N120T2FKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

40A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

1200V

最大許容損失Pd

480W

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

スルーホール

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

3

スイッチングスピード

1MHz

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

20 V

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

2.2V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

Pb-Free, RoHS, JEDEC

シリーズ

TrenchStop

エネルギー定格

8.3mJ

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

インフィニオン TrenchStop IGBTトランジスタ、1100~1600V


インフィニオンのIGBTトランジスタシリーズは、TrenchStop™技術を採用した1100~1600Vのコレクタエミッタ定格電圧を備えています。このシリーズは、高速、高速回復の逆平行ダイオードを内蔵したデバイスを備えています。

• コレクタエミッタ電圧範囲:1100~1600V

• 超低VCEsat

• 低ターンオフ損失

• ショートテール電流

• 低 EMI

• 最高ジャンクション温度:175°C

IGBTディスクリート・モジュール、インフィニオン


絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはIGBTは、高効率と高速スイッチングを誇る3端子パワー半導体デバイスです。IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとスイッチ用のバイポーラパワートランジスタを1つのデバイスに組み合わせることで、MOSFETのシンプルなゲートドライブ特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせることができます。

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