Vishay IGBT, SIHG47N60EF-GE3

Vishay SIHG47N60EF は、 600 V のドレイン - ソース電圧（ Vds ）とゲート - ソース電圧（ VGS ） 30 V の高速ボディダイオードを備えた N チャンネル EF シリーズパワー MOSFET です。TO-247AC パッケージが用意されています。ドレイン - ソース間抵抗（ RDS ）は 0.065 Ω @ 10VGS です。最大ドレイン電流： 47 A

E シリーズ技術採用の高速ボディダイオード MOSFET です
trr 、 Qrr 、 IRRM の削減
低性能指数（ FOM ）： Ron x Qg

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