onsemi D2PAK IGBT, Nチャンネル 650 V, 80 A, 3-Pin
- RS品番:
- 185-7972
- メーカー型番:
- AFGB40T65SQDN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
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￥305,444.80
(税抜)
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥381.806 | ￥305,445 |
| 1600 - 7200 | ￥377.698 | ￥302,158 |
| 8000 - 11200 | ￥373.585 | ￥298,868 |
| 12000 - 15200 | ￥369.478 | ￥295,582 |
| 16000 + | ￥365.369 | ￥292,295 |
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- RS品番:
- 185-7972
- メーカー型番:
- AFGB40T65SQDN
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| 最大パワー消費 | 238 W | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| パッケージタイプ | D2PAK | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| ゲート静電容量 | 2495pF | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| エネルギー定格 | 22.3mJ | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 650 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
最大パワー消費 238 W | ||
トランジスタ数 1 | ||
パッケージタイプ D2PAK | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 10.67 x 9.65 x 4.58mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
ゲート静電容量 2495pF | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
エネルギー定格 22.3mJ | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
未対応
- COO（原産国）:
- CN
新しいフィールドストップ第 4 世代 IGBT 技術の使用。AFGB40T65SQDN は、低伝導損失とスイッチング損失の両方で最適なパフォーマンスを提供し、さまざまなアプリケーションで高効率の動作を実現します。
VCE （ SAT ） = 1.6 V （標準） @ IC = 40 A
低 VF ソフトリカバリー同一パッケージダイオード
自動車用
低導通損失
低ノイズ、伝導損失
用途
車載用充電器
HEV 用自動車 DC/DC コンバータ
最終製品
EV/PHEV
低 VF ソフトリカバリー同一パッケージダイオード
自動車用
低導通損失
低ノイズ、伝導損失
用途
車載用充電器
HEV 用自動車 DC/DC コンバータ
最終製品
EV/PHEV
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