STMicroelectronics TO-263 IGBT, タイプNチャンネル 650 V, 50 A, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 204-9868P
- メーカー型番:
- STGB30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
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| 475 - 595 | ￥363.60 |
| 600 - 795 | ￥317.60 |
| 800 + | ￥272.20 |
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- RS品番:
- 204-9868P
- メーカー型番:
- STGB30H65DFB2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 50A | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 1MHz | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2.1V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| シリーズ | Trench Gate Field Stop | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.35 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 50A | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 1MHz | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2.1V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 4.6mm | ||
シリーズ Trench Gate Field Stop | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.35 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 シリーズは、 Advanced 独自のトレンチゲートフィールドストップ構造を進化させた製品です。HB2 シリーズの性能は、低電流値での VCE （ sat ）の動作の改善、及びスイッチングエネルギーの低減により、導通に関して最適化されています。
最大ジャンクション温度： TJ = 175 ° C
低 VCE （飽和） = 1.65 V （標準） @IC = 30 A
非常に高速でソフトなリカバリの共パッケージダイオード
テール電流を最小化
パラメータのばらつきが少ない