Infineon, F3L100R07W2H3B11BPSA1 IGBTモジュール 650 V スルーホール
- RS品番:
- 248-1200
- メーカー型番:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|
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- RS品番:
- 248-1200
- メーカー型番:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | IGBTモジュール | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 650V | |
| 最大許容損失Pd | 20mW | |
| トランジスタ数 | 4 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2V | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 12mm | |
| 長さ | 56.7mm | |
| シリーズ | F3L100R07W2H3B11 | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 42.5 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ IGBTモジュール | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 650V | ||
最大許容損失Pd 20mW | ||
トランジスタ数 4 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
動作温度 Min -40°C | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2V | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 12mm | ||
長さ 56.7mm | ||
シリーズ F3L100R07W2H3B11 | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 42.5 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon のEasyPACK 2B 650V、100A 3レベルIGBTモジュールは、Trench/Fieldstop IGBT H3、高速ダイオード、PressFIT/NTCを搭載しています。このデバイスは、使いやすさ、コンパクト設計、最適化された性能を提供しています。最大650Vまでの耐圧能力向上、低誘導性設計、低スイッチング損失、低VCE,satなどの特長があります。低熱抵抗のAl2O3基板とPressFITコンタクト技術を使用しています。このデバイスは、マウントクランプを内蔵し、堅牢な実装が可能です。
システムコストを低減する、最高のコストパフォーマンスを実現
高い設計自由度、IGBT HighSpeed 3テクノロジーを採用
高いレベルの効率と電力密度