Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 30 A, 3-Pin TO-263 1
- RS品番:
- 273-2757
- メーカー型番:
- IKB30N65EH5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 273-2757
- メーカー型番:
- IKB30N65EH5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon IGBTは、ハードスイッチング及び共振トポロジでクラス最高の効率を発揮する高速H5技術を備えています。このIGBTは、フル定格電流RAPID 1高速アンチパラレルダイオードを備えています。このIGBTの最大ジャンクション温度は175 °Cです。
RoHS準拠
鉛フリーリードめっき
低ゲート充電QG
650 Vのブレークダウン電圧
鉛フリーリードめっき
低ゲート充電QG
650 Vのブレークダウン電圧
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 30 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 650 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20 V, ±30V |
| トランジスタ数 | 1 |
| 最大パワー消費 | 188 W |
| パッケージタイプ | TO-263 |
| 実装タイプ | スルーホール |
| チャンネルタイプ | N |
| ピン数 | 3 |
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