Semikron Nチャンネル IGBTモジュール 1200 V 260 A, 7-Pin SEMITRANS3 シリーズ
- RS品番:
- 468-2460
- メーカー型番:
- SKM200GB126D
- メーカー/ブランド名:
- Semikron
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| 1 - 2 | ￥29,313.00 |
| 3 - 29 | ￥28,279.00 |
| 30 - 39 | ￥27,245.00 |
| 40 - 49 | ￥26,211.00 |
| 50 + | ￥25,176.00 |
- RS品番:
- 468-2460
- メーカー型番:
- SKM200GB126D
- メーカー/ブランド名:
- Semikron
その他
詳細情報
デュアル IGBT モジュール
SemikronのSEMITOP® IGBTモジュール製品です。2つの直列接続(ハーフブリッジ) IGBTデバイスが組み込まれています。さまざまな定格電圧と定格電流のタイプがあり、ACインバータモータドライブ、無停電電源装置などの各種電力スイッチング用途に適しています。
コンパクトな SEMITOP ® パッケージ
最大 12 kHz のスイッチング周波数に最適
DBC（直接結合銅）技術を採用した絶縁銅ベースプレート
最大 12 kHz のスイッチング周波数に最適
DBC（直接結合銅）技術を採用した絶縁銅ベースプレート
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTモジュール、Semikron
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
仕様
特性 | |
|---|---|
| 最大連続コレクタ電流 | 260 A |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 1200 V |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V |
| パッケージタイプ | SEMITRANS3 |
| 回路構成 | デュアルハーフブリッジ |
| 実装タイプ | パネルマウント |
| チャンネルタイプ | N |
| ピン数 | 7 |
| トランジスタ構成 | シリーズ |
| 寸法 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
| 動作温度 Min | -40 °C |
| 動作温度 Max | +150 °C |
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