STMicroelectronics, STGE200NB60S ISOTOP IGBT, タイプNチャンネル 600 V, 200 A, 4-Pin クランプ

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥4,277.00

(税抜)

¥4,704.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 585 2026年3月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 1¥4,277
2 +¥4,191

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
686-8348
メーカー型番:
STGE200NB60S
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

IGBT

最大連続コレクタ電流 Ic

200A

最大コレクタエミッタ電圧 Vceo

600V

最大許容損失Pd

600W

パッケージ型式

ISOTOP

取付タイプ

クランプ

チャンネルタイプ

タイプN

ピン数

4

動作温度 Min

-55°C

最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT

1.6V

最大ゲートエミッタ電圧VGEO

±20 V

動作温度 Max

150°C

シリーズ

Powermesh

規格 / 承認

ECOPACK, JESD97

長さ

38.2mm

31.7 mm

高さ

12.2mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

IGBTディスクリート、STMicroelectronics


IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics


絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。

関連ページ