インフィニオン TO-247 IGBT, Nチャンネル 600 V, 80 A, 3-Pin
- RS品番:
- 754-5402
- メーカー型番:
- IKW75N60TFKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
一時的に在庫切れ
- RS品番:
- 754-5402
- メーカー型番:
- IKW75N60TFKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| 最大連続コレクタ電流 | 80 A | |
| 最大コレクタ- エミッタ間電圧 | 600 V | |
| 最大ゲート-エミッタ間電圧 | ±20V | |
| トランジスタ数 | 1 | |
| 最大パワー消費 | 428 W | |
| パッケージタイプ | TO-247 | |
| 回路構成 | シングル | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| チャンネルタイプ | N | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 20kHz | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 寸法 | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| ゲート静電容量 | 4620pF | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
最大連続コレクタ電流 80 A | ||
最大コレクタ- エミッタ間電圧 600 V | ||
最大ゲート-エミッタ間電圧 ±20V | ||
トランジスタ数 1 | ||
最大パワー消費 428 W | ||
パッケージタイプ TO-247 | ||
回路構成 シングル | ||
実装タイプ スルーホール | ||
チャンネルタイプ N | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 20kHz | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
寸法 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
ゲート静電容量 4620pF | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
インフィニオンIGBT、最大連続コレクタ電流80A、最大コレクタエミッタ電圧600V - IKW75N60TFKSA1
このIGBTは、パワーエレクトロニクス用に設計された高性能半導体部品です。最大連続コレクタ電流は80Aで、定格600Vの高電圧環境で効率的に動作します。このデバイスは、スルーホール実装に最適なTO-247形式でパッケージされている。
特徴と利点
• 低いコレクタ・エミッタ飽和電圧が効率を高める
• 高いスイッチング速度により、運転中のエネルギー損失を低減
• 正の温度係数が安定した性能を保証
• 40℃~+175℃の広い温度範囲に対応
• 高いスイッチング速度により、運転中のエネルギー損失を低減
• 正の温度係数が安定した性能を保証
• 40℃~+175℃の広い温度範囲に対応
用途
• 産業用周波数コンバーターでの使用に最適
• 無停電電源装置に最適
• オートメーション用モーター制御
• 再生可能エネルギー・システムの効率確保に有効
• 無停電電源装置に最適
• オートメーション用モーター制御
• 再生可能エネルギー・システムの効率確保に有効
私のアプリケーションにとって、短絡耐時間はどのような意味を持つのでしょうか?
5μsの短絡耐量時間により、故障状態に遭遇する可能性のあるアプリケーションで信頼性の高い保護が可能になり、デバイスが即座に故障することなく短時間の過電流状況に耐えることができます。
高速スイッチングはシステム効率にどのような影響を与えますか?
20kHzの高速スイッチングにより、トランジション時のエネルギー損失を最小限に抑え、特に高速応答アプリケーションにおいて、システム全体の効率と性能を大幅に向上させます。
最適なパフォーマンスを発揮するための熱管理上の注意点とは?
熱抵抗値は、ジャンクションからケースへの効果的な放熱を示す
ジャンクション温度を規定の範囲内に管理することは、信頼性の高い動作を維持し、部品の寿命を延ばすために極めて重要である。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
IGBTディスクリート&モジュール、Infineon
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。
