STMicroelectronics TO-252 IGBT, タイプNチャンネル 1200 V, 5 A, 3-Pin 表面
- RS品番:
- 877-2879P
- メーカー型番:
- STGD5NB120SZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
125個小計 (リールカット)*
￥41,000.00
(税抜)
￥45,100.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 6,890 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 125 - 1195 | ￥328.00 |
| 1200 - 1595 | ￥281.00 |
| 1600 - 1995 | ￥234.80 |
| 2000 + | ￥187.80 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 877-2879P
- メーカー型番:
- STGD5NB120SZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| 最大連続コレクタ電流 Ic | 5A | |
| プロダクトタイプ | IGBT | |
| 最大コレクタエミッタ電圧 Vceo | 1200V | |
| 最大許容損失Pd | 75W | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| ピン数 | 3 | |
| スイッチングスピード | 690ns | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートエミッタ電圧VGEO | ±20 V | |
| 最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT | 2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | JEDEC JESD97, ECOPACK | |
| シリーズ | H | |
| 高さ | 2.2mm | |
| 幅 | 6.4 mm | |
| 長さ | 6.2mm | |
| エネルギー定格 | 12.68mJ | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
最大連続コレクタ電流 Ic 5A | ||
プロダクトタイプ IGBT | ||
最大コレクタエミッタ電圧 Vceo 1200V | ||
最大許容損失Pd 75W | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
ピン数 3 | ||
スイッチングスピード 690ns | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートエミッタ電圧VGEO ±20 V | ||
最大コレクタ・エミッタ飽和電圧 VceSAT 2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 JEDEC JESD97, ECOPACK | ||
シリーズ H | ||
高さ 2.2mm | ||
幅 6.4 mm | ||
長さ 6.2mm | ||
エネルギー定格 12.68mJ | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
IGBTディスクリート、STMicroelectronics
IGBTディスクリート&モジュール、STMicroelectronics
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。