onsemi JFET, Nチャンネル, 30 V, 3-Pin, MMBF4393LT1G

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥36,750.00

(税抜)

¥40,440.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥12.25¥36,750
15000 - 27000¥12.002¥36,006
30000 - 72000¥11.36¥34,080
75000 - 147000¥11.042¥33,126
150000 +¥10.727¥32,181

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
145-4270
メーカー型番:
MMBF4393LT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

IDSSドレイン-ソースカットオフ電流

5 to 30mA

最大ドレイン-ソース間電圧

30 V

最大ゲート-ソース間電圧

+30 V

最大ドレイン-ゲート間電圧

30V

回路構成

シングル

トランジスタ構成

シングル

最大ドレイン-ソース間抵抗

100 Ω

実装タイプ

表面実装

パッケージタイプ

SOT-23

ピン数

3

ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス

14pF

ソースゲート オンキャパシタンス

14pF

寸法

3.04 x 1.4 x 1.01mm

高さ

1.01mm

動作温度 Max

+150 °C

1.4mm

動作温度 Min

-55 °C

長さ

3.04mm

NチャンネルJFET、ON Semiconductor


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



JFETトランジスタ


JFET (接合型電界効果トランジスタ)及びHEMT / HFET (高電子移動度トランジスタ / ヘテロ接合FET)ディスクリート半導体デバイス製品です。

関連ページ