JFETは4端子デバイスで、 各端子はゲート、 ドレイン、 ソース、ボディといいます。ボディ端子は、常にソースに接続されています。JFETには、NチャンネルとPチャンネルの2種類があります。JFETは、Junction Field-Effect Transistor (接合型電界効果トランジスタ)の略です。JUGFETと呼ばれることもあります。
NチャンネルJFETの構造
Nチャンネルという名前は、電子が多数電荷キャリアであることを示します。Nチャンネルを形成するには、N型半導体をベースとして使用し、両端をP型半導体でドーピングします。これらのP領域は、ゲートのオーミック接触で電気的にリンクされて一体となります。その他の2つの端子は、ドレインとソースの反対側に出ています。
PチャンネルJFETの構造
Pチャンネルという名前は、ホールが多数電荷キャリアであることを示します。Pチャンネルを形成するには、P型半導体をベースとして使用し、両端をN型半導体でドーピングします。これらのN領域は、ゲートのオーミック接触で電気的にリンクされて一体となります。その他の2つの端子は、ドレインとソースの反対側に出ています。
特長と利点
JFETトランジスタには、エレクトロニクスや通信でのさまざまな用途があります。電子制御スイッチとして使用して負荷への電力を制御したり、 アンプとして使用したりできます。
JFETとBJTの主な違いは、電界効果トランジスタでは多数電荷キャリアしか流れないことに対し、BJT (バイポーラトランジスタ)では多数電荷キャリアと少数電荷キャリアの両方が流れることです。
ドーピングとは、真性半導体に異種の不純物を加えて電気特性を変えるプロセスです。シリコンのドーピングに3価の原子を使用すると、真性半導体がP型半導体になります。シリコンのドーピングに5価の原子を使用すると、真性半導体がN型半導体になります。
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