onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 4-入力, SOIC
- RS品番:
- 184-4250
- メーカー型番:
- MC14012BDG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 55 - 1595 | ￥43.236 | ￥2,378 |
| 1650 - 16445 | ￥39.127 | ￥2,152 |
| 16500 - 21945 | ￥35.00 | ￥1,925 |
| 22000 - 27445 | ￥30.218 | ￥1,662 |
| 27500 + | ￥26.073 | ￥1,434 |
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- RS品番:
- 184-4250
- メーカー型番:
- MC14012BDG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| ロジックタイプ | NAND | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| エレメント数 | 2 | |
| ゲートあたりの入力数 | 4 | |
| パッケージタイプ | SOIC | |
| ピン数 | 14 | |
| 論理回路 | 4000 | |
| 入力タイプ | CMOS | |
| 動作供給電圧 Max | 18 V | |
| 高レベル出力電流 Max | -4.2mA | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 300 ns @ 50 pF | |
| 動作供給電圧 Min | -5 V | |
| 低レベル出力電流 Max | 4.2mA | |
| 寸法 | 8.75 x 4 x 1.5mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 8.75mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| 出力タイプ | バッファー | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
ロジックタイプ NAND | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
エレメント数 2 | ||
ゲートあたりの入力数 4 | ||
パッケージタイプ SOIC | ||
ピン数 14 | ||
論理回路 4000 | ||
入力タイプ CMOS | ||
動作供給電圧 Max 18 V | ||
高レベル出力電流 Max -4.2mA | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 300 ns @ 50 pF | ||
動作供給電圧 Min -5 V | ||
低レベル出力電流 Max 4.2mA | ||
寸法 8.75 x 4 x 1.5mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 8.75mm | ||
幅 4mm | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
出力タイプ バッファー | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
- COO（原産国）:
- CN
4000シリーズロジックゲート、ON Semiconductors
このデュアル 4 入力 NAND Gates は、 P / N チャンネル拡張モードデバイスを単一モノリシック構造（相補 MOS ）に収めています。主な用途は、低電力損失及び / 又は高ノイズ耐性が求められる場合です。
供給電圧範囲： 3.0 → 18 V dc
すべての出力がバッファリングされました
定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能
すべての入力でダブルダイオード保護
対応する CD4000 シリーズ B サフィックスデバイスのピン交換
鉛フリーパッケージを用意
すべての出力がバッファリングされました
定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能
すべての入力でダブルダイオード保護
対応する CD4000 シリーズ B サフィックスデバイスのピン交換
鉛フリーパッケージを用意
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
4000 CMOSロジックファミリ、ON Semiconductor
CMOSファミリデバイス
広範囲の動作電圧: 3 to 18 V
広範囲の動作電圧: 3 to 18 V