onsemi ロジックゲート, MC14012BDG 2, NAND, 表面, 4-入力 いいえ, SOIC, 14-Pin
- RS品番:
- 184-4250
- メーカー型番:
- MC14012BDG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 55 - 1595 | ¥41.927 | ¥2,306 |
| 1650 - 16445 | ¥37.982 | ¥2,089 |
| 16500 - 21945 | ¥34.036 | ¥1,872 |
| 22000 - 27445 | ¥30.091 | ¥1,655 |
| 27500 + | ¥26.145 | ¥1,438 |
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- RS品番:
- 184-4250
- メーカー型番:
- MC14012BDG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | ロジックゲート | |
| ロジックタイプ | NAND | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| エレメント数 | 2 | |
| 1ゲートあたりの入力数 | 4 | |
| シュミットトリガ入力 | いいえ | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| ピン数 | 14 | |
| 論理回路 | 4000 | |
| 入力方式 | CMOS | |
| 最大伝搬遅延時間@CL | 100ns | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 高レベル出力電流 Max | -4.2mA | |
| 動作温度 Max | 125°C | |
| 最大電源電圧 | 18V | |
| 長さ | 8.75mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 最小電源電圧 | -5V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 低レベル出力電流 Max | 4.2mA | |
| 出力タイプ | バッファ | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ ロジックゲート | ||
ロジックタイプ NAND | ||
取付タイプ 表面 | ||
エレメント数 2 | ||
1ゲートあたりの入力数 4 | ||
シュミットトリガ入力 いいえ | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
ピン数 14 | ||
論理回路 4000 | ||
入力方式 CMOS | ||
最大伝搬遅延時間@CL 100ns | ||
動作温度 Min -55°C | ||
高レベル出力電流 Max -4.2mA | ||
動作温度 Max 125°C | ||
最大電源電圧 18V | ||
長さ 8.75mm | ||
幅 4 mm | ||
最小電源電圧 -5V | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.5mm | ||
低レベル出力電流 Max 4.2mA | ||
出力タイプ バッファ | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- CN
このデュアル 4 入力 NAND Gates は、 P / N チャンネル拡張モードデバイスを単一モノリシック構造(相補 MOS )に収めています。主な用途は、低電力損失及び / 又は高ノイズ耐性が求められる場合です。
このデュアル 4 入力 NAND Gates は、 P / N チャンネル拡張モードデバイスを単一モノリシック構造(相補 MOS )に収めています。主な用途は、低電力損失及び / 又は高ノイズ耐性が求められる場合です。
供給電圧範囲: 3.0 → 18 V dc
すべての出力がバッファリングされました
定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能
すべての入力でダブルダイオード保護
対応する CD4000 シリーズ B サフィックスデバイスのピン交換
鉛フリーパッケージを用意
供給電圧範囲: 3.0 → 18 V dc
すべての出力がバッファリングされました
定格温度範囲で 2 つの低電力 TTL 負荷又は 1 つの低電力ショットキー TTL 負荷を駆動可能
すべての入力でダブルダイオード保護
対応する CD4000 シリーズ B サフィックスデバイスのピン交換
鉛フリーパッケージを用意
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