onsemi ロジックゲート, NAND, 表面実装, 2-入力, TSSOP
- RS品番:
- 186-7303
- メーカー型番:
- MC74VHC00DTG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 96 - 384 | ¥39.208 | ¥3,764 |
| 480 - 864 | ¥37.875 | ¥3,636 |
| 960 - 2304 | ¥35.885 | ¥3,445 |
| 2400 - 4704 | ¥35.229 | ¥3,382 |
| 4800 + | ¥33.885 | ¥3,253 |
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- RS品番:
- 186-7303
- メーカー型番:
- MC74VHC00DTG
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| ロジックタイプ | NAND | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| エレメント数 | 4 | |
| ゲートあたりの入力数 | 2 | |
| パッケージタイプ | TSSOP | |
| ピン数 | 14 | |
| 論理回路 | VHC | |
| 入力タイプ | CMOS | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 高レベル出力電流 Max | -24mA | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 14.5 ns @ 50 pF | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 低レベル出力電流 Max | 24mA | |
| 寸法 | 5.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 長さ | 5.1mm | |
| 出力タイプ | バイポーラ ショットキー TTL | |
| 動作温度 Max | +125 °C | |
| 幅 | 4.5mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
ロジックタイプ NAND | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
エレメント数 4 | ||
ゲートあたりの入力数 2 | ||
パッケージタイプ TSSOP | ||
ピン数 14 | ||
論理回路 VHC | ||
入力タイプ CMOS | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
高レベル出力電流 Max -24mA | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 14.5 ns @ 50 pF | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
低レベル出力電流 Max 24mA | ||
寸法 5.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
高さ 1.05mm | ||
長さ 5.1mm | ||
出力タイプ バイポーラ ショットキー TTL | ||
動作温度 Max +125 °C | ||
幅 4.5mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
MC74VHC00 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS 2 入力 NAND ゲートです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。
高速: tpd = 3.7 ns (標準) @ VCC = 5 V
低消費電力: ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 0.8 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 32 FET または 8 つの同等の Gates
低消費電力: ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 0.8 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 32 FET または 8 つの同等の Gates
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