onsemi ロジックゲート, インバータ, 表面実装, TSSOP
- RS品番:
- 186-7304
- メーカー型番:
- MC74VHC04DTR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール2500個入り) 小計:*
¥57,172.50
(税抜)
¥62,890.00
(税込)
¥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年3月24日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ¥22.869 | ¥57,173 |
| 12500 - 22500 | ¥22.568 | ¥56,420 |
| 25000 - 60000 | ¥22.267 | ¥55,668 |
| 62500 - 122500 | ¥21.966 | ¥54,915 |
| 125000 + | ¥21.665 | ¥54,163 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 186-7304
- メーカー型番:
- MC74VHC04DTR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| ロジックタイプ | インバータ | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| エレメント数 | 6 | |
| パッケージタイプ | TSSOP | |
| ピン数 | 14 | |
| 論理回路 | VHC | |
| 入力タイプ | CMOS | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| 高レベル出力電流 Max | -24mA | |
| 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL | 12 ns @ 50 pF | |
| 動作供給電圧 Min | 2 V | |
| 低レベル出力電流 Max | 24mA | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| 寸法 | 5.1 x 4.5 x 1.05mm | |
| 幅 | 4.5mm | |
| 伝播遅延テスト条件 | 50pF | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 出力タイプ | バイポーラ ショットキー TTL | |
| 長さ | 5.1mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
ロジックタイプ インバータ | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
エレメント数 6 | ||
パッケージタイプ TSSOP | ||
ピン数 14 | ||
論理回路 VHC | ||
入力タイプ CMOS | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
高レベル出力電流 Max -24mA | ||
最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 12 ns @ 50 pF | ||
動作供給電圧 Min 2 V | ||
低レベル出力電流 Max 24mA | ||
高さ 1.05mm | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
寸法 5.1 x 4.5 x 1.05mm | ||
幅 4.5mm | ||
伝播遅延テスト条件 50pF | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
出力タイプ バイポーラ ショットキー TTL | ||
長さ 5.1mm | ||
MC74VHC04 は、シリコンゲート CMOS 技術で製造された Advanced High Speed CMOS インバータです。CMOS の低消費電力を維持しながら、同等のバイポーラショットキー TTL に匹敵する高速動作を実現しています。内部回路は、ノイズ耐性に優れ、出力が安定したバッファ出力をはじめとする 3 段階から構成されています。入力は最大 7 V の電圧に耐え、 5 V システムのインターフェイスを 3 V システムに対応できます。
高速: VCC = 5 V で tpd = 3.8 ns (標準
低消費電力: ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 0.8 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 36 FET または 9 相当の Gates
鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます。
低消費電力: ICC = 2 μ A (最大) @ TA = 25 C
高ノイズ耐性: VNIH = VNIL = 28 % VCC
入力にパワーダウン保護機能を実現
平衡伝搬遅延
2 → 5.5 V の動作範囲に対応する設計です
低ノイズ: VolP = 0.8 V (最大)
他の標準ロジックファミリと互換性があるピン配置及び機能
ラッチアップ性能は 300 mA を超えます
ESD 性能: HBM> 2000V 、機械モデル> 200V
チップの複雑さ: 36 FET または 9 相当の Gates
鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
