STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220FP, STP12NM50FP

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計：*

￥20,807.00

(税抜)

￥22,887.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 900 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 450￥416.14￥20,807
500 +￥395.34￥19,767

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
151-409
メーカー型番:
STP12NM50FP
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

21A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-220FP

シリーズ

MDmesh

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

10.4 mm

長さ

15.85mm

高さ

30.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STマイクロエレクトロニクスのNチャネル・パワーMOSFETは、マルチドレイン・プロセスと同社のPowerMESH水平レイアウトを組み合わせたMDmesh技術を用いて開発されたデバイスである。これらのデバイスは、極めて低いオン抵抗、高いdv/dt、優れたアバランシェ特性を提供する。ST独自のストリップ技術を利用したこのパワーMOSFETは、市場の類似製品よりも優れた全体的なダイナミック性能を誇ります。

100%アバランシェテスト済み

低入力キャパシタンスとゲート電荷

低ゲート入力抵抗

関連ページ