STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 1 A, 16 Ω, 7.7 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 151-904
- メーカー型番:
- STD1NK80ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 151-904
- メーカー型番:
- STD1NK80ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | SuperMESH | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 16Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| 最大許容損失Pd | 45W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ SuperMESH | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 16Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.7nC | ||
最大許容損失Pd 45W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、確立されたPowerMESHの最適化であるSuperMESH技術を使用して開発されたZener保護Nチャンネルを備えた高電圧デバイスです。このデバイスは、オン抵抗の大幅な削減に加えて、最も要求の厳しい用途に対応する高レベルのDVD/dt容量を確保するように設計されています。
ゲート充電を最小限に抑える
非常に低い本質静電容量
ツェナー保護
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