STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 950 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD6N95K5
- RS品番:
- 151-926
- メーカー型番:
- STD6N95K5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 151-926
- メーカー型番:
- STD6N95K5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 950V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | MDmesh K5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.25Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.6nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 6.6 mm | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ MDmesh K5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.25Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.6nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 6.6 mm | ||
長さ 10.1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づいたMDmesh K5技術を使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗を劇的に低減し、超低ゲート充電を実現します。
業界最低のRDS(on)x面積
業界最高のFoM
超低ゲートチャージ
100% アバランシェ試験済み
Zener保護
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