IXYS MOSFET, Nチャンネル, 10 A, スルーホール, 3 ピン, IXFP10N80P
- RS品番:
- 194-057
- メーカー型番:
- IXFP10N80P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 194-057
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- IXFP10N80P
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 10 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 800 V | |
| パッケージタイプ | TO-220 | |
| シリーズ | HiperFET, Polar | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.1 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5.5V | |
| 最大パワー消費 | 300000 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 幅 | 4.83mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 10.66mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| 高さ | 9.15mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 10 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 800 V | ||
パッケージタイプ TO-220 | ||
シリーズ HiperFET, Polar | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.1 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 5.5V | ||
最大パワー消費 300000 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
幅 4.83mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 10.66mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 40 nC @ 10 V | ||
高さ 9.15mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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