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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 72 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
RS品番:
194-130
メーカー型番:
IXFN82N60P
メーカー/ブランド名:
IXYS
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単価: 購入単位は 個
¥5,920.00
(税抜)
¥6,512.00
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RS品番:
194-130
メーカー型番:
IXFN82N60P
メーカー/ブランド名:
IXYS
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
NチャンネルパワーMOSFET IXYS HiperFET™ Polar™シリーズ
IXYSのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
72 A
最大ドレイン-ソース間電圧
600 V
パッケージタイプ
SOT-227
シリーズ
HiperFET, Polar
実装タイプ
スクリュー マウント
ピン数
4
最大ドレイン-ソース間抵抗
75 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
5V
最大パワー消費
1.04 kW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
240 nC @ 10 V
1チップ当たりのエレメント数
1
トランジスタ素材
Si
長さ
38.2mm
動作温度 Max
+150 °C
幅
25.07mm
動作温度 Min
-55 °C
高さ
9.6mm