IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 82 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 168-4752
- メーカー型番:
- IXFN100N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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単価： 購入単位は10個
￥5,684.60
(税抜)
￥6,253.06
(税込)
| 個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
| 10 - 40 | ￥5,684.60 | ￥56,846.00 |
| 50 - 90 | ￥5,570.90 | ￥55,709.00 |
| 100 - 240 | ￥5,459.50 | ￥54,595.00 |
| 250 - 490 | ￥5,350.30 | ￥53,503.00 |
| 500 + | ￥5,243.30 | ￥52,433.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 168-4752
- メーカー型番:
- IXFN100N50Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
- COO（原産国）:
- US
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 82 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 49 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V |
| 最大パワー消費 | 960 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 255 nC @ 10 V |
| 長さ | 38.23mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 25.07mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 9.6mm |
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