1 STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 4-Pin エンハンスメント型, SCT070W120G3-4 パッケージHip-247-4
- RS品番:
- 214-964
- メーカー型番:
- SCT070W120G3-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
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- メーカー型番:
- SCT070W120G3-4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| シリーズ | SCT | |
| パッケージ型式 | Hip-247-4 | |
| ピン数 | 4 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
シリーズ SCT | ||
パッケージ型式 Hip-247-4 | ||
ピン数 4 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
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