STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 125 A, 4.6 mΩ, 56 nC, 8ピン, パッケージ：PowerFLAT
- RS品番:
- 214-995
- メーカー型番:
- STL125N10F8AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 214-995
- メーカー型番:
- STL125N10F8AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 125A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | STL125N10F8AG | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 4.6mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 150W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 56nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS, AEC-Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 125A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ STL125N10F8AG | ||
パッケージ型式 PowerFLAT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.6mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 150W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 56nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS, AEC-Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronics 100 V Nチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、強化されたトレンチゲート構造を備えたSTripFET F8技術で設計されています。非常に低いオンステート抵抗で最先端のメリットを実現し、内部静電容量とゲート充電を低減しながら、より迅速かつ効率的なスイッチングを実現します。
低ゲート電荷 Qg
ウェッタブル・フランク・パッケージ
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