Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 150 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R8-30MLHX

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梱包形態
RS品番:
219-268
メーカー型番:
PSMN1R8-30MLHX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

150A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

PSM

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.1mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

28nC

最大許容損失Pd

106W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
NextPowerS3テクノロジーを採用したNexperia NチャンネルMOSFETは、低RDS、低IDSS漏洩、高効率で、定格電流は150 Aです。最適化された低ゲート抵抗により、高速スイッチング用途をサポートします。主な用途には、同期バックレギュレータ、AC-DC及びDC-DC変換の同期整流器、BLDCモータ制御、eFuse及びバッテリ保護、OR-ing及びホットスワップ機能などがあります。

高速スイッチング

低EMI設計のための低スパイキング及びリング

高信頼性の銅クリップ接着

175 °Cまでの適合

露出したリードにより、最適な視覚的はんだ検査を実現

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