Nexperia MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 150 A, 2.1 mΩ, 28 nC, 5ピン, パッケージ：LFPAK
- RS品番:
- 219-266
- メーカー型番:
- PSMN1R8-30MLHX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-266
- メーカー型番:
- PSMN1R8-30MLHX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 150A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | PSM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.1mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大許容損失Pd | 106W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 150A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ PSM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.1mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 28nC | ||
最大許容損失Pd 106W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
NextPowerS3テクノロジーを採用したNexperia NチャンネルMOSFETは、低RDS、低IDSS漏洩、高効率で、定格電流は150 Aです。最適化された低ゲート抵抗により、高速スイッチング用途をサポートします。主な用途には、同期バックレギュレータ、AC-DC及びDC-DC変換の同期整流器、BLDCモータ制御、eFuse及びバッテリ保護、OR-ing及びホットスワップ機能などがあります。
高速スイッチング
低EMI設計のための低スパイキング及びリング
高信頼性の銅クリップ接着
175 °Cまでの適合
露出したリードにより、最適な視覚的はんだ検査を実現
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