Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R2-30YLDX

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RS品番:
219-341
メーカー型番:
PSMN1R2-30YLDX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

250A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

NextPowerS3

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

194W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、NXP独自のSchottkyPlusテクノロジーを採用したNextPowerS3ポートフォリオを備え、高効率で低スパイキング性能を発揮します。通常、ショットキー又はショットキーのようなダイオードを内蔵したMOSFETSに関連付けられますが、問題のある高漏洩電流はありません。NextPowerS3は、特に高いスイッチング周波数での高効率用途に適しています。

低寄生インダクタンス及び抵抗

高信頼性のクリップ接着及びはんだ付けダイアップパワーSO8パッケージ

ウェーブはんだ付け可能

ソフトな回復による超高速スイッチング

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