Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 230 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R2-25YLDX
- RS品番:
- 219-422
- メーカー型番:
- PSMN1R2-25YLDX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-422
- メーカー型番:
- PSMN1R2-25YLDX
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 230A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 25V | |
| パッケージ型式 | LFPAK | |
| シリーズ | NextPowerS3 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 172W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 34.4nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 230A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 25V | ||
パッケージ型式 LFPAK | ||
シリーズ NextPowerS3 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 172W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 34.4nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- PH
Nexperia NチャンネルMOSFETは、NXP独自のSchottkyPlusテクノロジーを採用したNextPowerS3ポートフォリオを備え、高効率で低スパイキング性能を発揮します。通常、ショットキー又はショットキーのようなダイオードを内蔵したMOSFETSに関連付けられますが、問題のある高漏洩電流はありません。NextPowerS3は、特に高いスイッチング周波数での高効率用途に適しています。
低寄生インダクタンス及び抵抗
高信頼性のクリップ接着及びはんだ付けダイアップパワーSO8パッケージ
ウェーブはんだ付け可能
ソフトな回復による超高速スイッチング
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