Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-263, PSMN1R5-30BLEJ
- RS品番:
- 219-444
- メーカー型番:
- PSMN1R5-30BLEJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 219-444
- メーカー型番:
- PSMN1R5-30BLEJ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | PSM | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 228nC | |
| 最大許容損失Pd | 401W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 120A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ PSM | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 228nC | ||
最大許容損失Pd 401W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- PH
NexperiaロジックレベルNチャンネルMOSFETは、D2PAKパッケージに収容されており、最大175 °Cまでの動作に適合しています。幅広い産業用途、通信用途、家庭用途向けに設計されており、過酷な環境でも信頼性の高い性能を発揮します。
優れたリニアモード動作のための順方向バイアス安全動作領域の強化
非常に低いRdsonで低伝導損失を実現
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