Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 120 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージTO-263, PSMN1R5-30BLEJ

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RS品番:
219-444
メーカー型番:
PSMN1R5-30BLEJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

120A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

PSM

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

228nC

最大許容損失Pd

401W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
PH
NexperiaロジックレベルNチャンネルMOSFETは、D2PAKパッケージに収容されており、最大175 °Cまでの動作に適合しています。幅広い産業用途、通信用途、家庭用途向けに設計されており、過酷な環境でも信頼性の高い性能を発揮します。

優れたリニアモード動作のための順方向バイアス安全動作領域の強化

非常に低いRdsonで低伝導損失を実現

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