Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 330 A エンハンスメント型, 表面, 5-Pin パッケージLFPAK, PSMN1R2-55SLHAX

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梱包形態
RS品番:
219-464
メーカー型番:
PSMN1R2-55SLHAX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

330A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

LFPAK

シリーズ

MOSFETs

取付タイプ

表面

ピン数

5

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.03mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

180nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

375W

動作温度 Max

175°C

高さ

1.6mm

規格 / 承認

RoHS

幅

8 mm

長さ

8mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
NexperiaのNチャネルMOSFETは、NXP独自のSchottkyPlus技術を採用したNextPowerS3ポートフォリオに搭載されており、通常、ショットキーまたはショットキーライクダイオードを内蔵したMOSFETに関連する高効率、低スパイク性能を実現しますが、問題となる高リーク電流は発生しません。NextPowerS3は、高いスイッチング周波数での高効率アプリケーションに特に適しています。

アバランチ定格、100%テスト済み

ソフト・ボディ・ダイオード・リカバリによる超高速スイッチングにより、低スパイキングと低リンギングを実現

狭いVGS(th)定格により、並列接続が容易で電流共有が向上

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