Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 50 V, 0.41 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK88, PSMNR90-50SLHAX

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梱包形態
RS品番:
251-7923
メーカー型番:
PSMNR90-50SLHAX
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.41A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

50V

パッケージ型式

LFPAK88

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

112nC

最大許容損失Pd

375W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

長さ

8.1mm

規格 / 承認

No

高さ

8.1mm

幅

1.7 mm

自動車規格

AEC-Q101

Nexperia 410 A連続電流ロジックレベルゲートドライブNチャンネル強化モードMOSFETは、175 °C LFPAK88パッケージに収められています。Nexperia独自の「ショットキープラス」テクノロジーを採用したNext Power S3ファミリは、ショットキーダイオード又はショットキー型ダイオードを内蔵したMOSFETに通常適合する高効率で低スパイキング性能を発揮しますが、問題のある高漏洩電流はありません。

低パッケージインダクタンスと抵抗のための銅クリップとはんだダイアップアタッチ、

高ID(最大)定格、175 °

CCAバランシェ定格、100 %テスト済

み、特に高いスイッチング周波数での高効率を

実現、特に高いスイッチング周波数でのソフトボディダイオードの回復による超高速スイッチング、低スピ

ッキング及びリングのための低EMI設計

に推奨、簡単な並列化と電流共有の向上のための狭いVGS(th)定格、非常に強力なリニアモード / 安全な動作エリア特性、高電流条件での安全かつ信頼性の高いスイッチング

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